Южнокорейский полупроводниковый гигант Samsung только что официально объявил об успешной разработке первой в отрасли коммерческой памяти GDDR7 DRAM емкостью 24 гигабита (Гб), в основном для удовлетворения растущих потребностей области вычислений на базе искусственного интеллекта следующего поколения. Samsung не только уверенно заявляет, что это самая емкая из когда-либо созданных оперативная память GDDR7 DRAM, но и она поддерживает беспрецедентную скорость более 40 Гбит/с. Южнокорейская компания утверждает, что эта память «значительно поднимет планку» для графической памяти DRAM, «обеспечивающей работу будущих приложений».
Проверка оборудования с партнерами-производителями графических процессоров начнется в этом году. И если все пойдет хорошо, массовое производство начнется в начале следующего года. Комментируя это развитие, Ён Чхоль Бэ, исполнительный вице-президент по планированию продукции памяти в Samsung Electronics, сказал:
После успешной разработки в прошлом году первой в отрасли модели GDDR7 емкостью 16 Гбит компания Samsung еще больше укрепила свое технологическое лидерство на рынке графической памяти DRAM благодаря этому последнему достижению. Мы продолжим лидировать на рынке графической памяти DRAM, выпуская продукты следующего поколения, отвечающие растущим потребностям рынка ИИ.
Samsung ожидает, что новое решение DRAM найдет применение в различных областях, где требуются высокопроизводительные решения в области памяти, например, в центрах обработки данных и рабочих станциях искусственного интеллекта, а также расширит традиционные области применения графической памяти DRAM в видеокартах, игровых консолях и автономных транспортных средствах.

Ключевым преимуществом новых чипов памяти GDDR7 по сравнению с предыдущими поколениями является дополнительная энергоэффективность, которая была улучшена за счет использования впервые в графической памяти DRAM технологий из мобильных продуктов. К этим методам относятся управление тактовым сигналом и конструкция с двумя VDD. По данным Samsung, благодаря сокращению ненужного потребления энергии энергоэффективность повысилась на 30%.
Кроме того, Samsung утверждает, что использовала технологию проектирования затворов питания, чтобы минимизировать утечку тока. Это повышает стабильность работы при высокоскоростных операциях.
Samsung не предоставила никакой информации о ценах на это решение памяти и не назвала предполагаемую дату выпуска, но, скорее всего, это произойдет где-то во второй половине 2025 года.